去年8月，SK海力士宣佈已成功開發出全球首款採用1cnm（第六代10nm級別）工藝的16Gb DDR5 DRAM，成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM芯片的存儲器供應商。新產品不但提升了性能，還能降低功耗。

據Wccftech 報道 ，SK海力士在去年下半年開始了1cnm DRAM芯片的試產工作，初期的良品率為60%，而現在已經提升至80%至90%。在人工智能（AI）浪潮中，採用先進工藝技術製造的DRAM芯片逐漸受到了存儲器廠商的重視。憑藉1cnm工藝技術取得突破，SK海力士很可能在消費端和數據領域都佔據優勢，從而超越三星成為DRAM領域的技術領導者。

SK海力士的1cnm DDR5 DRAM將主要用於高性能數據中心，運行速率為8Gbps，與前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。同時SK海力士在1cnm工藝上進行了設計技術革新，與前一代1β (b) nm工藝相比，生產率提高了30%以上。SK海力士還運用了新材料，並針對EUV適用工藝進行了優化，以確保成本競爭力。按照SK海力士的説法，改用1cnm DDR5 DRAM後，可以為數據中心節省30%以上的電費。暫時還不清楚什麼時候進入市場，可能沒那麼快。

過去幾年裏，SK海力士逐漸脱穎而出，在HBM領域佔據了主導地位。SK海力士已經將下一階段重點放在了HBM4，預計量產時間也早於競爭對手，差距很可能會繼續擴大。SK海力士並不着急擴展1cnm工藝技術，不一定會用於HBM4，有可能等到HBM4E才加入。