今天JEDEC固態存儲協會 宣佈 ，發佈備受期待的高帶寬內存（HBM）DRAM新標準：HBM4。對應的JESD270-4規範已經可以從官方網站 下載 ，進一步提高了數據處理速率，同時保持基本功能，有着更高的帶寬、功率效率、增加了每個芯片和/或堆棧的容量。

JEDEC表示，HBM4的進步對於需要高效處理大型數據集和複雜計算的應用程序來説至關重要，覆蓋範圍包括生成式AI、高性能計算（HPC）、高端顯卡和服務器。相比於先前的HBM3，HBM4做了諸多改進，包括：

• 增加帶寬 - HBM4採用了2048-bit接口，傳輸速度高達8Gb/s，可將總帶寬提高到2TB/s。

• 雙通道 - HBM4將每個堆棧的獨立通道數量增加了一倍，從16個通道（HBM3）增加到32個通道，為設計人員提供了更大的靈活性和獨立的訪問多維數據集的方式。

• 電源效率 - 支持供應商特定的VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V或0.9V）和VDDC（1.0V或1.05V）電平，從而降低功耗並提高能源效率。

• 兼容性和靈活性 - HBM4接口定義確保了與現有HBM3控制器的向後兼容性，允許在各種應用中實現無縫集成和靈活性，並允許單個控制器在需要時與HBM3和HBM4一起工作。

• 定向刷新管理（DRFM）- HBM4結合了定向刷新管理 ，以改進行對row-hammer攻擊的緩解效果，且擁有更高的可靠性、可用性和可維護性（RAS）。

• 容量 - HBM4支持4層、8層、12層和16層DRAM堆棧配置，芯片容量為24Gb或32Gb，單個堆棧最大容量可達64GB。

英偉達技術營銷總監兼JEDEC HBM小組委員會主席Barry Wagner表示，高性能計算平台正在迅速發展，需要在內存帶寬和容量方面進行創新，而HBM4是與技術行業領導者合作開發的，旨在推動人工智能和其他加速應用的高效、高性能計算的飛躍發展。