台積電加速美國建廠計劃:第三/四座晶圓廠今年動工,預計當地生產三成2nm芯片

上個月,台積電(TSMC) 宣佈 有意增加1000億美元投資於美國先進半導體制造。此前台積電已投資了650億美元在亞利桑那州鳳凰城建造先進半導體設施,建造了兩座晶圓廠。台積電將以此為基礎,預計投資總額將達到1650億美元,擴大投資計劃包括三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心。

據TrendForce 報道 ,隨着2025年第一季度財報的發佈,台積電對其美國擴張計劃提供了更清晰的信息。亞利桑那州鳳凰城Fab 21的第二座晶圓廠已於2024年第四季度完工,不過還需要幾個季度才能投入生產,而第三座和第四座晶圓廠將於今年晚些時候開始建設。台積電表示,美國客户需求強勁,因此選擇加快當地擴張步伐。

亞利桑那州鳳凰城Fab 21的第一座晶圓廠採用的是4nm工藝生產線,第一座晶圓廠將提升至3nm工藝,計劃2027年至2028年量產,第三座和第四座晶圓廠將採用更先進的製程技術,預計是基於2nm製程節點的N2和A16工藝。台積電預計,完工後其大概30%的2nm芯片將在美國製造。

此外,台積電董事長兼首席執行官魏哲家反駁了外界關於日本熊本第二座晶圓廠延期建設的 説法 ,表示市場對成熟及特種製程技術的需求依然強勁。除了日本外,台積電還在推進德國德累斯頓的建廠計劃,這是歐洲第一家支持FinFET的純代工業務晶圓廠。