近日台積電（TSMC）舉辦了2025年北美技術論壇，SK海力士也在這次活動上首次公開展示了HBM4技術。台積電與SK海力士就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作，其中台積電將負責生產用於HBM4和HBM4E的基礎裸片（Base Die），原本採用N5和N12FFC+工藝，不過應英偉達的要求，會將N5改成更先進的N3工藝。

HBM解決方案是SK海力士在台積電2025年北美技術論壇的重點 展示 部分，主要是12層堆疊的HBM4和16層堆疊的HBM3E。早在3月，SK海力士已經宣佈成為全球首個向主要客户供應HBM4的存儲器廠商，並計劃2025年下半年完成量產工作。

HBM4屬於第六代HBM產品，英偉達將是SK海力士的首個客户，用於明年的Rubin架構數據中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E獲得認可的Advanced MR-MUF工藝，從而在現有12層堆疊上達到了最大36GB容量，I/O接口速度達8Gbps，帶寬可提高至2TB/s。新工藝不但能控制芯片的翹曲現象，還有效提升了散熱性能，由此最大程度地提高了產品的穩定性。

據瞭解，SK海力士下一步打算帶來16層堆疊的HBM4，容量可進一步提高至48GB。