近日台積電（TSMC）舉辦了2025年北美技術論壇， 公佈 了下一代A14製程工藝，旨在通過提供更快的計算和更高的能效來推動人工智能（AI）轉型。台積電稱，A14製程工藝計劃2028年投產，目前的開發進展順利，良品率比預期的要高。按照過去的 説法 ，雖然台積電在A16上選擇不採用High-NA EUV光刻技術，但是到了A14會選擇加入。

據Bits and Chips 報道 ，台積電已經決定在A14製程工藝上不引入High-NA EUV光刻技術，仍然堅持使用原有的EUV光刻設備。台積電相信，即便沒有High-NA EUV光刻設備，A14製程工藝依然可以實現性能、密度、良品率等目標。台積電將通過限制這一代到下一代的掩模層數量，為客户提供更經濟實惠的解決方案，同時又不會犧牲關鍵部分的複雜性。

根據配置的不同，High-NA EUV光刻設備的價格約在3.85億美元起步，這將大大增加晶圓廠的成本。芯片製造商更傾向於重複利用現有的工具，所以台積電也儘可能地避免使用High-NA EUV光刻設備，除非原有的EUV光刻系統無法繼續改進生產能力。與此同時，台積電也在相關光刻材料上下功夫，以提高光刻工藝和良品率。

最近有IBM的研究人員表示，單次High-NA EUV的成本大概是普通EUV的2.5倍。直到目前為止，英特爾仍然是唯一一家致力於採用High-NA EUV光刻技術進行大批量生產的主要代工廠。