美國商務部 發佈 公告，商務部長Howard Lutnick參觀了台積電（TSMC）在亞利桑那州鳳凰城的Fab 21，並參加了第三座晶圓廠的破土動工儀式。新項目將擴大尖端芯片製造規模，推動美國在人工智能（AI）、數據中心和智能手機方面的產業發展。

3月初，台積電 宣佈 在已投資650億美元的基礎上，有意增加1000億美元投資於美國先進半導體制造。該項擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心，這將是美國歷史上最大規模的單項外國直接投資。

據瞭解，台積電在獲得許可的幾個小時後就開始了現場工作。Fab 21的第一座晶圓廠採用的是4nm工藝生產線，已於2024年末投產，第二座晶圓廠將提升至3nm工藝，計劃2027年至2028年量產，第三座和第四座晶圓廠將採用更先進的製程技術，預計是基於2nm製程節點的N2和A16工藝。台積電預計，完工後其大概30%的2nm芯片將在美國製造。

台積電表示，通過這次擴大投資，預計未來四年提供約40,000個建造工作崗位，並在先進芯片製造和研發等領域創造數以萬計高薪工作機會。預計未來十年裏，這項投資還將推動亞利桑那州和美國各地超過2000億美元的間接經濟產出。