此前有 報道 稱，三星選擇在其平澤P4工廠建設1cnm工藝的DRAM生產線，並向合作伙伴訂購了設備，為HBM4的生產鋪平道路。1cnm屬於第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，領先於現有第五代10nm級別的1bnm（電路線寬約為12-13nm），三星目標是在2025年6月開始量產。三星還在今年初重新 調整 了1cnm DRAM的設計，以提高良品率。

據TrendForce 報道 ，隨着HBM4成為存儲行業的下一個戰場，三星希望通過積極的投資來縮小與SK海力士之間的差距，計劃在其華城和平澤的工廠擴大1cnm DRAM的生產，投資將於今年末開始。SK海力士和美光在HBM4上都選擇了1bnm DRAM，而三星則將賭注壓在1cnm DRAM上。

HBM4屬於第六代HBM產品，為12層垂直堆疊，三星打算選擇4nm工藝用於大規模生產HBM4的基礎裸片，目前試產良品率已經超過了40%，並搭配1cnm工藝製造DRAM芯片。平澤P4工廠的首條1cnm DRAM生產線已經在建設當中，目標月產能為30000片晶圓。如果擴建順利，額外的投資可將產能提升至每月40000片晶圓。

隨着英偉達下一代Rubin架構GPU的到來，加上AMD也在準備Instinct MI400系列，兩者都計劃採用HBM4，預計HBM4在2026年下半年將成為主流。為此三星還在考慮最早在今年末，將華城部分1znm DRAM生產線也轉換成1cnm DRAM。