據相關媒體 報道 ，英特爾與軟銀集團合作成立Saimemory，以基於英特爾技術和日本學術界（包括東京大學）的專利構建原型，打造HBM替代品。其目標是2027年完成原型涉及和大規模生產可行性評估，在2030年之前實現商業化。

目前大多數AI芯片都使用HBM作為高帶寬存儲芯片，非常適合臨時存儲AI GPU處理的大量數據。可是HBM製造複雜且相對昂貴，另外功耗較高，容易發熱。英特爾和軟銀集團旨在找出一種更高效地連接方法來堆疊DRAM芯片，解決HBM存在的問題，希望能將傳統堆疊式DRAM芯片的功耗減少了一半。

目前只有三家存儲器製造商生產HBM，分別是三星、SK海力士和美光，但是市場對人工智能的需求使得HBM一直處於供應緊張的狀態。如果Saimemory可以提供替代品，不但能滿足市場需求，而且能打破壟斷。另外還有一點，就是滿足日本在數據中心上的建設需求，提供高效率、高性能、高質量的組件，並降低整體建造成本。

軟銀集團是Saimemory的主要出資方，同時日本理化學研究所與神港精機也在考慮資金或技術上的參與，該項目也得到了政府的支持。