昨天，全球存儲巨頭鎧俠在戰略會議上正式公佈其面向AI時代的中長期增長戰略，核心聚焦於下一代SSD技術的突破與生態協同。公司計劃通過融合高性能XL-FLASH存儲芯片與全新控制器設計，推出一款革命性固態硬盤，目標實現超過1000萬IOPS的隨機讀寫性能，預計2026年下半年完成樣品開發。

鎧俠表示這款突破性SSD將採用XL-FLASH(SLC)，搭配定製化控制器，專為小規模數據操作優化，顯著降低延遲並提升效率。公司代表強調：“這一組合將在企業級存儲市場樹立新標杆，尤其適合AI訓練、實時分析等高併發場景。”此外，鎧俠正與多家GPU廠商深度合作，針對性優化硬件協同，進一步釋放AI及圖形密集型應用的算力潛力。

在現有產品線方面，鎧俠已全面推出基於第八代BiCS FLASH技術的CM9與LC9系列SSD。其中，CM9系列面向AI服務器與高性能計算場景，順序讀取速度高達14.8GB/s，隨機讀取性能達340萬IOPS，並支持雙端口2.5英寸及E3.S規格，最高容量達61.44TB。而LC9系列則主打超大容量存儲，單盤容量突破122TB，適用於AI推理、大規模數據庫等需要海量數據存儲的場景。

第八代BiCS FLASH通過CBA，也就是CMOS直接鍵合陣列技術實現性能與能效雙提升，接口速度達4.8Gb/s，輸入功耗降低10%，輸出功耗減少34%。鎧俠計劃擴大該技術的產能，覆蓋從高端SSD到AI智能手機的多領域應用。

展望未來，鎧俠採取“雙軌並行”策略：一方面推進傳統堆疊層數升級，如第十代BiCS FLASH（332層）；另一方面深化CBA技術迭代，第九代產品將結合成熟單元設計與先進CMOS工藝，平衡性能與成本。

隨着AI基礎設施需求激增，鎧俠正通過技術創新與生態合作，加速搶佔存儲市場高地，為全球數據中心提供高效、可靠的存儲解決方案。