美光（Micron） 宣佈 ，將擴大在美國的投資規模，在原計劃基礎上再增加300億美元，達到約2000億美元，用於尖端DRAM製造和研發。這次追加的部分主要用在愛達荷州博伊西建造第二座尖端DRAM工廠，以及擴建位於弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。

這項2000億美元的投資計劃裏，其中1500億美元用在擴大美國的DRAM製造，另外500億美元用在開發更先進的存儲半導體技術。其中涵蓋了愛達荷州博伊西的兩座工廠、紐約的四座工廠、弗吉尼亞州馬納薩斯的現有工廠和擴建項目、先進的HBM封裝能力、以及推動美國創新和技術領導地位的研發。這些投資旨在使美光能夠滿足預期的市場需求，保持市場份額，並支持美光實現其DRAM美國生產佔比40%的目標。

在愛達荷州博伊西第一座工廠是美光實現了關鍵的建設里程碑，計劃2027年開始生產DRAM芯片，第二座工廠將提升產能，以滿足由AI推動的不斷增長的市場需求。在愛達荷州博伊西第二座工廠竣工後，美光計劃將先進的HBM封裝能力引入美國。

此外，弗吉尼亞州馬納薩斯的項目將提升美國本土DRAM製造能力，引入1α（1-alpha）工藝節點。這項投資將進一步升級生產線，以生產滿足本土汽車、航空航天、國防和工業市場應用的特種DRAM產品。