去年8月，SK海力士 宣佈 已成功開發出全球首款採用1cnm（第六代10nm級別）工藝的16Gb DDR5 DRAM，新產品不但提升了性能，還能降低功耗。SK海力士也在2025年2月開始 量產 1cnm DRAM芯片，成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM芯片的存儲器供應商。外界預計SK海力士也會將新工藝應用到最新的HBM產品上，以進一步提升效能，繼續引領市場。

據TrendForce 報道 ，雖然英偉達和AMD都在競相引入下一代HBM，但是SK海力士對於1cnm DRAM反而變得更加謹慎，放慢了投資的腳步。SK海力士打算開始量產HBM4E以後，才提高1cnm DRAM產量，而今年下半年即將量產的HBM4，仍然會採用更為成熟的1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝。

據瞭解，HBM的利潤是標準DRAM的3到5倍，8層堆疊的HBM3芯片（24GB）售價略高於200美元，而8層堆疊的HBM3E芯片（36GB）售價還要高出許多，接近於400美元，接下來12層堆疊的HBM4芯片甚至可能高於600美元。考慮到HBM產品的高利潤，SK海力士更傾向於擴大1bnm DRAM產能，以支持HBM3E和HBM4的出貨。

為了滿足HBM等新一代DRAM的生產能力，SK海力士在去年將位於韓國忠清北道清州市的M15X定為新的DRAM生產基地，擴充1bnm DRAM生產線。M15X按計劃將於2025年11月竣工，當全面投入運營時，可以將SK海力士的HBM產能提高20%至30%。

與SK海力士和美光在HBM4上都選擇了1bnm DRAM不同，三星則將賭注壓在1cnm DRAM上，從去年末開始擴大投資。