近日Marvell宣佈推出全球首款基於2nm工藝的定製靜態隨機存取存儲器(SRAM)。該產品專為提升定製化加速處理器(XPUs)及相關設備性能而設計，旨在滿足雲數據中心和人工智能集羣日益增長的算力需求。

這款全新的2nm定製SRAM集成了Marvell先進的定製電路設計與軟件技術，結合核心SRAM架構與前沿2nm製程工藝，最高可提供6.4Gbit/s的傳輸速率。在同等密度下，其功耗和芯片面積顯著降低，為高性能計算系統提供了更高的能效比與空間利用率。

Marvell表示，此次推出的定製SRAM是其為優化加速計算基礎設施內存層級性能所做出的最新創新。此前，該公司已推出用於定製硅芯片的CXL技術，以向雲服務器添加TB級內存和額外計算能力，併發布了可將內存容量提升33%、同時減少HBM堆疊空間與功耗的定製HBM技術。

憑藉業內最高的每平方毫米帶寬，Marvell的2nm定製SRAM可幫助芯片設計者節省多達15%的芯片總面積。這一“釋放”的空間可用於集成更多計算核心、擴展內存容量、縮小設備尺寸與成本，或根據特定性能、應用場景及總體擁有成本目標進行靈活配置。此外，該SRAM採用創新的數據路徑與架構設計，在同等密度下功耗較傳統片上SRAM降低高達66%，頻率可達3.75 GHz。

Marvell定製雲解決方案高級副總裁Will Chu表示：“定製化是AI基礎設施的未來。如今超大規模企業用於開發尖端定製XPUs的方法和技術，將在未來滲透到更廣泛的客户羣體、設備類型和應用場景中。我們期待與合作伙伴攜手打造面向定製時代的技術領先方案。”

行業研究機構650 Group聯合創始人Alan Weckel指出：“內存仍是AI集羣和雲系統面臨的最大挑戰之一。這些系統需要儘可能多且儘可能快的內存。Marvell從芯片內部、封裝內部到系統層面全方位優化內存性能的整體策略令人信服，也凸顯了定製化所能帶來的巨大性能提升。”

隨着過去五十年來通過不斷縮小晶體管尺寸提升芯片性能的方式逐漸接近物理極限，半導體行業正轉向定製化硅芯片設計，以更好地匹配用户的獨特架構需求。Marvell的定製SRAM正是其在這一趨勢下的又一重要佈局，標誌着定製硅芯片時代的進一步深化。