2023年末，ASML向英特爾交付了首台High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。業界普遍認為，High-NA EUV光刻技術將在先進芯片開發和下一代處理器的生產中發揮關鍵作用，英特爾打算在Intel 14A工藝引入，最快會在2026年到來。

據Wccftech 報道 ，最近投資研究平台Tegus上分享的討論中，一位不願意透露姓名的英特爾董事稱，未來將更少地依賴先進的光刻設備，而更多地依賴蝕刻技術。雖然ASML先進的EUV和High-NA EUV仍然是最廣泛討論的芯片製造設備，但是由於出口管制限制，製造芯片還涉及其他步驟。

光刻是整個過程的第一步，將設計轉移到晶圓上，然後通過沉積和蝕刻等工藝將這些設計固化。沉積是指芯片製造商將材料沉積在晶圓上，而蝕刻則是有選擇地將其去除，從而為芯片創建晶體管和電路的圖案。現階段EUV在製造7nm及以下芯片中發揮了至關重要的作用，因為其能夠在晶圓上轉移或打印更小的電路設計。

新的晶體管設計，比如如GAAFET和CFET，可以降低光刻機在芯片製造過程中的重要性。按照這位英特爾董事的説法，由於GAAFET和CFET設計從四面“包裹”柵極，從晶圓上去除多餘的材料非常關鍵。芯片製造商將更多地關注通過蝕刻來去除材料，而不是增加晶圓在光刻機上花費的時間來減小特徵尺寸。

隨着芯片製造中橫向方向的重要性日益增加，High-NA EUV的重要性相比於EUV就沒那麼重要了。這種轉變的最終結果是減少了對最小功能的依賴，但仍然可以獲得高密度，不僅在平面上，而且還在垂直方向上。