此前有 報道 稱，三星選擇在其平澤P4工廠建設1cnm DRAM生產線，這屬於第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，領先於現有第五代10nm級別的1bnm（電路線寬約為12-13nm），目標是在2025年6月進入量產階段。三星還在今年初重新調整了1cnm DRAM的設計，以提高良品率。與SK海力士和美光在HBM4上選擇1bnm DRAM不同，三星將賭注壓在了1cnm DRAM上。

據TrendForce 報道 ，三星在最近的1cnm DRAM生產測試中實現了50%至70%的良品率，相比於去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。隨着近期1cnm DRAM良品率的提高，三星打算逐漸拉昇1cnm DRAM的產量。考慮到DRAM作為HBM的核心組件，1cnm DRAM的進展也與三星的HBM4量產計劃緊密相連，傳聞三星最快在今年末開始量產HBM4。由於驗證仍處於非常早期的階段，良品率情況需要持續監控，在這段時間裏三星不能掉以輕心。

HBM4屬於第六代HBM產品，為12層垂直堆疊，三星打算選擇4nm工藝用於大規模生產HBM4的基礎裸片，並搭配1cnm DRAM芯片。平澤P4工廠的首條1cnm DRAM生產線已經在建設當中，目標月產能為30000片晶圓。如果擴建順利，額外的投資可將產能提升至每月40000片晶圓。三星還將在平澤P3工廠建設1cnm DRAM生產線，很可能專門用於HBM4相關的DRAM芯片。

此外，三星還在考慮最早在今年末，將華城部分1znm DRAM生產線也轉換成1cnm DRAM。