本月初，美光（Micron） 宣佈 正在交付全球首款基於1γ工藝的LPDDR5X內存樣品。這屬於第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM節點產品，是美光首款採用EUV光刻技術打造的移動解決方案，利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細的特徵，從而獲得了業界領先的容量密度優勢。美光還利用包括下一代高K金屬柵極技術在內的CMOS技術，提升了晶體管性能，實現了更高的速率、更優化的設計和更小的特徵尺寸，為1γ DRAM節點帶來功耗降低和性能擴展的雙重優勢。

據TomsHardware 報道 ，近日美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra在2025財年第三財季財報電話會議上，介紹了基於1γ工藝的LPDDR5X內存情況，表示新產品非常地出色，良品率的提升速度超過了第五代10nm級別1β（1-beta）DRAM節點上創造的速度記錄，預計本季度內將完成幾個關鍵的產品里程碑。

按照美光的説法，相比於1β DRAM節點，新一代1γ DRAM節點有望將DRAM功耗降低20%，同時性能提升15%，另外位密度提高了30%，帶來了非常顯著的改進。一旦1γ DRAM節點的良品率達到1β DRAM節點相近的水平，轉化到生產上，很可能會大幅降低成本。

除了PLDDR5X以外，美光在更早之前還將1γ DRAM節點用於DDR5。Sanjay Mehrotra強調，美光將在整個DRAM產品線中引入1γ DRAM節點，未來還會用於GDDR7和麪向數據中心的產品。