此前有 報道 稱，三星在1cnm DRAM生產測試中實現了50%至70%的良品率，相比於去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。1cnm DRAM的進展也與三星的HBM4量產計劃緊密相連，三星最快在今年末開始量產HBM4。

據TECHPOWERUP 報道 ，有消息人士透露，1cnm DRAM生產已經在三星內部獲得批量生產許可，這標誌着新一代DRAM技術已開發完成。三星也遵循了之前DRAM技術升級的節奏，迭代時間約為兩年。

1cnm DRAM屬於第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，領先於現有第五代10nm級別的1bnm（電路線寬約為12-13nm）。為了提高良品率，滿足量產的要求，三星在今年初還選擇重新調整1cnm DRAM的設計。三星如此重視，很重要的一點是打算將新工藝引入到HBM4的生產。與SK海力士和美光在HBM4上選擇1bnm DRAM不同，三星將賭注壓在了1cnm DRAM上，希望利用新技術取得競爭優勢。

HBM4屬於第六代HBM產品，為12層垂直堆疊，三星打算選擇4nm工藝用於大規模生產HBM4的基礎裸片，並搭配1cnm DRAM芯片。隨着英偉達下一代Rubin架構GPU的到來，加上AMD也在準備Instinct MI400系列，兩者都計劃採用HBM4，預計HBM4在2026年下半年將成為主流。