上個月，美光（Micron） 宣佈 擴大在美國的投資規模，在原計劃基礎上再增加300億美元，達到約2000億美元，用於尖端DRAM製造（1500億美元）和研發（500億美元），同時會創造9萬個直接和間接工作崗位。去年美光還與美國商務部 達成 的協議，後者將根據《芯片法案》為其商業半導體制造項目提供61.65億美元的直接撥款，目標是未來十年內在美國製造旗下40%的DRAM產品。

據TomsHardware 報道 ，最近美光詳細介紹了更新後的美國晶圓廠投資，計劃將持續20年。

第一部分涉及在愛達荷州博伊西建造世界上最大、最先進的DRAM生產設施之一，首座晶圓廠稱為“ID1”，預計2027年下半年投產。其潔淨室面積將達到60萬平方英尺（55700平方米），大約是GlobalFoundries旗下Fab 8潔淨室產能的兩倍，與三星及SK海力士的大型晶圓廠相當。第二座晶圓廠“ID2”就在附近，受益於共享基礎設施和研發共址，美光預計早於紐約的工廠投入使用，不過沒有提供具體時間。

美光還計劃在紐約克萊附近建造晶圓廠，分為四個階段，潔淨室面積與“ID1”相當，同樣沒有提供具體的投產時間。除了新建晶圓廠外，美光還將擴建弗吉尼亞州馬納薩斯的現有工廠，主要生產用於汽車、航空航天、國防和工業應用的存儲芯片，升級後將具備HBM封裝能力。按照美光的説法，要等愛達荷州博伊西的DRAM產能提升後，才會升級弗吉尼亞州馬納薩斯的設施。