台積電（TSMC）在今年3月，宣佈，計劃增加1000億美元投資於美國先進半導體制造，包括了3座新建晶圓廠、2座先進封裝設施、以及1間主要的研發團隊中心。過去幾個月裏，台積電加快了亞利桑那州鳳凰城Fab 21的項目建設，已開工建設第3座晶圓廠。

據ComputerBase 報道 ，台積電計劃在Fab 21附近建造兩座專用建築，在當地提供先進封裝服務。首個先進封裝設施AP1計劃2028年開始興建，與Fab 21的第三階段建設項目同步，可以為N2及更先進的A16工藝服務。第二座先進封裝設施AP2將與Fab 21的第四/五階段同步，但是還沒有具體的日期。

兩個先進封裝設施將專注於CoPoS和SoIC封裝技術，前者將使用310 × 310 mm的矩形面板取代傳統的圓型晶圓，後者則是在計算核心下面堆疊緩存或內存芯片，這一技術已經在AMD Ryzen X3D處理器中得到了驗證。台積電計劃在2026年啓動CoPoS試點生產工作，目標2027年末完成與合作伙伴之間的驗證工作，以保證贏得包括英偉達、AMD和蘋果在內主要客户的訂單。

預計AP1要到2029年末或2030年初才能開始投入運營，與台積電的交付時間慣例保持一致。