過去幾年裏，HBM市場競爭加劇，SK海力士、三星和美光都在通過開發更先進的HBM產品，以爭奪更大的市場份額，提高存儲器業務的營收及利潤率。不過近期一間意想不到的廠商正從不同的角度，試圖進入HBM市場。

據Sedaily 報道 ，LG正在為HBM開發混合鍵合設備，目標2028年實現量產，希望藉此機會進軍半導體設備市場。

LG的做法是有道理，隨着HBM堆疊層數的增加，需要縮小芯片之間的間隙，而混合鍵合技術可以縮小間隙，滿足了需要更多垂直堆疊層數的HBM產品的生產。目前SK海力士採用的是MR-RUF技術，三星和美光則使用了TC NCF技術，這些傳統方法在超過16層堆疊時將面臨良品率的挑戰。

相比之下，混合鍵合是一種3D集成技術，使用特殊材料填充和連接芯片，不需要凸塊。與傳統的基於凸塊的堆疊相比，具有更低的電阻和電容、更高的密度、更好的熱性能、以及更薄的3D堆棧。

傳聞三星從第10代V-NAND閃存開始，採用混合鍵合技術，目標是在2025年下半年開始量產，預計總層數達到420層至430層。三星還打算將混合鍵合技術擴展到DRAM芯片，引入到第六代HBM產品，也就是HBM4。SK海力士也有類似的打算，不過要等到HBM4E。