Rapidus 宣佈 ，在日本北海道千歲市的創新集成製造工廠（IIM-1）已開始其2nm GAA晶體管芯片的原型設計，同時初始測試晶圓已進入電氣測試階段。按照Rapidus公佈的計劃，目標在2027年開始實現2nm工藝的批量生產。
Rapidus表示，新工廠標誌着對傳統鑄造模式的重大進步，正在重新構想半導體工廠應該如何通過尖端方法和技術實時思考、學習、調整和優化流程，包括：
完全單晶圓前端處理 - 在單晶圓工藝中，可以對單晶圓進行調整，並進行檢查，如果成功，則應用於所有後續晶圓。單個晶圓捕獲更多數據，使人工智能模型能夠得到訓練，以改善晶圓生產並提高產量。Rapidus是首批將完全商業化單晶圓處理的公司之一，這是其快速和統一製造服務（RUMS）的核心。
極紫外（EUV）光刻 - EUV是實現2nm半導體的關鍵技術之一，先進的光刻工藝對於形成2nm GAA結構至關重要，而Rapidus是日本第一家安裝先進EUV光刻設備的公司。此外，2025年4月1日，Rapidus成功完成了EUV曝光，時間大約在2024年12月設備交付三個月後。
目前Rapidus正在開發與創新集成製造工廠的2nm工藝相兼容的開發套件，並將於2026年第一季度發送給高級客户。
