上個月有 報道 稱，三星已經開始試產Exynos 2600，採用了SF2（2nm）工藝。這表明該款SoC已經進入原型生產階段，良品率目標鎖定在50%，如果最終實現大規模生產，需提高到至少70%以上。為了更好的性能表現，三星還需要解決散熱問題，避免過熱導致的性能下降，這也是過去幾年旗艦Exynos芯片遇到的難題。

據Wccftech 報道 ，三星打算在Exynos 2600上採用HPB（Heat Pass Block）技術，以改善芯片的散熱問題，讓芯片可以保持最佳性能狀態。HPB本質上是作為Exynos 2600的散熱器，從而提高散熱效率，讓SoC能以最高頻率運行更長的世界。

目前三星在Exynos系列SoC，是直接將DRAM置於SoC之上，新方法是將HPB和DRAM都直接裝在Exynos 2600的上面，新增的部分作為散熱模塊，從而提高熱傳導效率。在HPB的頂部，三星將採用扇出型晶圓級封裝（FoWLP），以提高耐熱性並提供更強的多核性能。三星最早是在Exynos 2400引入扇出型晶圓級封裝，現在也將沿用到Exynos 2600。

根據之前 泄露 的信息，Exynos 2600在CPU部分採用了2+6二叢架構，包含了2個Cortex-X和6個Cortex-A內核，頻率最高為3.55GHz。其原型芯片的單核/多核基準測試成績為2400/9400分的水平，相比於搭載Exynos 2500的Galaxy S25+原型機（單核2359分/多核8141分）並沒有太明顯的提升。

如果能應用HPB技術，或許能讓Exynos 2600達到更高頻率，並保持更長時間。