閃迪（SanDisk） 宣佈 ，已經與SK海力士簽署了一份具有里程碑意義的諒解備忘錄（MOU），共同制定高帶寬閃存（HBF）規範。這是一項新技術，旨在為下一代人工智能（AI）推理提供突破性的內存容量和性能。通過此次合作，雙方希望制定標準化規範、明確技術要求，並探索創建高帶寬閃存技術生態系統。

隨着AI模型變得越來越大、越來越複雜，推理工作負載需要巨大的帶寬和更大的內存容量。HBF專為大型數據中心、小型企業和邊緣應用中的AI推理工作負載而設計，旨在提供與高帶寬內存（HBM）相當的帶寬，同時以類似的成本提供8至16倍HBM的容量。

HBF的設計思路類似於HBM，以大量I/O引腳和多層堆疊結合，相當於高帶寬NAND閃存。同時兩者共享了電氣接口，不過適配的介質從DRAM切換至NAND，協議略有變化，所以不完全兼容。HBF實現了8層到16層堆疊，可以部分替換HBM，通過邏輯芯片和中介層連接到GPU/CPU/TPU，從而提供HBF+HBM的自定義組合產品。

近期閃迪 成立 了技術顧問委員會，以指導高帶寬閃存技術的開發和戰略，成員包括來自公司內外的行業專家和高級技術負責人。同時還任命了David Patterson和Raja Koduri，在閃迪準備推出HBF時，提供戰略指導、技術洞察力、市場視角並制定開放標準。

閃迪的目標是在2026年下半年交付HBF閃存的樣品，預計首批採用HBF的AI推理設備樣品會在2027年初出現。