今年3月，台積電（TSMC）宣佈，計劃增加1000億美元投資於美國先進半導體制造，包括了3座新建晶圓廠、2座先進封裝設施、以及1間主要的研發團隊中心。最近台積電加快了亞利桑那州鳳凰城Fab 21的項目，開工建設第3座晶圓廠，為此還推遲了海外其他地區的建廠計劃，將這部分資源轉到了美國。

據TrendForce 報道 ，隨着美國政府宣佈計劃對半導體徵收100%關税，同時美國製造的芯片將獲得豁免，為此台積電正在快速推進美國工廠二期工程，以滿足當地的生產要求。有消息人士透露，Fab 21的第2座晶圓廠預計2026年10月開始入駐設備，預計2027年第二季度建成一條迷你生產線，並在2027年第四季度開始量產，早於原計劃的2028年。

按照之前的 説法 ，台積電計劃在Fab 21附近建造兩座專用建築，在當地提供先進封裝服務。首個先進封裝設施AP1計劃2028年開始興建，與Fab 21的第三階段建設項目同步，可以為N2及更先進的A16工藝服務。第二座先進封裝設施AP2將與Fab 21的第四/五階段同步，但是還沒有具體的日期。

據瞭解，台積電首批引入的封裝技術為SoIC和CoPoS，並非現在經常談及的CoWoS。