去年8月，SK海力士 宣佈 已成功開發出全球首款採用1cnm（第六代10nm級別）工藝的16Gb DDR5 DRAM，新產品不但提升了性能，還能降低功耗。2025年2月，SK海力士開 始量產 1cnm DRAM芯片，成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM芯片的存儲器供應商。與此同時，三星的1cnm DRAM技術開發也在提速，計劃今年末開始 量產 ，並應用於HBM4。

據Wccftech 報道 ，隨着三星加快1cnm DRAM的開發和量產工作，SK海力士似乎更加認真地對待競爭對手。SK海力士很可能成為首個將1cnm DRAM技術提升至6層EUV的存儲器廠商，從而為市場設定新的標準，並增強自身在消費端和HBM的競爭力。更為重要的一點是，這次升級還將推進SK海力士下一代DRAM技術的開發，為未來加入High-NA EUV設計奠定基礎。

相比於DUV，EUV的應用針對於更為複雜的電路，在採用先進製程的邏輯芯片上已經得到了廣泛的應用，不過在DRAM技術上仍處於初級階段。現在的DRAM技術採用的是EUV與DUV層結合的混合方案，而SK海力士則計劃將1cnm DRAM完全切換到6層EUV，這使其能夠打造出良品率更高、性能更強、利潤更高的產品。

目前1cnm DRAM技術還沒有用於任何傳統的消費端內存解決方案，SK海力士還在探索其他的選擇，EUV作為新一代DRAM技術的組成部分，將會長期使用，預計在下一代內存上會有更多的應用。