上個月有 報道 稱，台積電（TSMC）決定在未來兩年內逐步退出氮化鎵（GaN）晶圓代工市場。台積電表示，這是經過完整評估後，基於市場和公司長期業務策略下的選擇，正在與客户緊密合作，確保過渡期內順利交接。

據TrendForce 報道 ，台積電在最近的董事會會議之後，確定在2027年7月31日前結束氮化鎵晶圓代工服務，同時還將淘汰6英寸晶圓生產，並對8英寸晶圓生產進行調整，以進一步提高生產效率。

台積電已經通知客户，其負責6英寸晶圓生產的Fab 2和8英寸晶圓生產的Fab 5將於2027年末停產。為了讓客户能夠更好地安排下單，台積電提供了具體的時間表，並協助客户轉移或者升級到12英寸晶圓廠。台積電計劃重新部署部分8英寸晶圓廠的員工，以加強先進封裝能力，同時加速向12英寸晶圓過渡。

根據統計，台積電在中國台灣地區運營着4個12英寸“GigaFab（月產能10萬片晶圓及以上）”集羣、4座8英寸晶圓廠和1座6英寸晶圓廠，2024年的總產能約為1700萬片12英寸晶圓。台積電是氮化鎵晶圓代工的先行者，2014年率先在6英寸晶圓廠引入這項技術，2015年擴大了GaN器件的生產範圍，2021年又將生產拓展至8英寸晶圓廠。

這次台積電在董事會會議上宣佈了五項主要決議，不過沒有一些外界猜測的內容，比如擴大在美國的投資、與英特爾的合作。以及針對2nm技術泄漏事件的額外措施等。相反，台積電打算將美國的投資保持在現有水平，並維持今年380億至420億美元的資本支出目標。