三星HBM4初步通過英偉達測試,並在HBM3E提供大幅度折扣

據Sedaily 報道 ,有業內人士透露,三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品,目前已經通過了初步的質量測試,將於本月底進入預生產階段。如果能通過英偉達最後的驗證步驟,最早可能在11月或12月開始實現大規模生產,對三星來説現在已進入關鍵階段。

HBM4計劃用於英偉達下一代Rubin架構GPU構建的AI加速器,SK海力士早在今年3月便交付了樣品,6月完成了首批出貨,計劃10月開始量產。如果三星可以按計劃完成驗證,那麼可以最大程度地縮小與SK海力士之間在HBM4上面的差距。

除了在HBM4努力外,三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價,傳聞向英偉達提供了比SK海力士低20%至30%的報價。英偉達選擇在與SK海力士最終確定定價協議前,首先對三星的HBM3E和HBM4進行質量測試。考慮到過去幾年三星在DRAM市場的份額流失速度之快,讓三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。

有點令人感到意外的是,美光成為三大原廠中首個2026年HBM產能售罄的存儲器製造商。其實美光在6月已經向英偉達出貨了HBM4,是僅次於SK海力士達到HBM4樣品階段的廠商。