近日，AMD在油管官方賬號上 分享 了一段視頻，內容是對此前台北電腦展上公佈的3D垂直緩存（3D Vertical Cache）進行了更詳細的介紹，讓大家對這項技術有更深入的瞭解。

AMD的3D芯片堆疊技術是基於台積電的SoIC技術，作為一種無損芯片堆疊技術，意味着不使用微凸點或焊料來連接兩個芯片，兩個芯片被銑成一個完美的平面。底層CCX與頂層L3緩存之間是一個完美的對齊，TSV通道可以在沒有任何類型的粘合材料的情況下進行匹配。為了實現這個操作，AMD將CCX翻轉（由面向頂部改為面向底部），然後削去了頂部95%的硅，再將3D垂直緩存芯片安裝在上面。好處是將緩存和核心之間的距離縮短了1000倍，同時減少了發熱、功耗和延遲，使得性能有進一步提高。

在台北電腦展上，AMD已經展現了採用3D堆疊技術的Ryzen9 5900X處理器的原型設計。這項創新的技術可以為每個CCX帶來額外的64MB 7nm SRAM緩存，使得處理器的L3緩存容量由32MB增加到96MB，容量增加到原來的三倍。按照官方提供的數據，採用3D堆疊技術後，整體遊戲性能提高了15%，幅度並不小。

AMD早前已經確認，在今年晚些時候，配備3D垂直緩存的Zen 3架構Ryzen系列處理器將投入生產，有可能就是Ryzen 5000XT系列處理器，相信很快就能和大家見面了。