SK海力士 宣佈 ，已開發出321層2Tb QLC NAND閃存產品，並開始量產。

SK海力士表示：“在全球範圍內率先完成300層以上的QLC NAND閃存開發，再次突破了技術極限。該產品在現有的NAND閃存產品中擁有最高的集成度，經過全球客户公司的驗證後，計劃於明年上半年正式進入AI數據中心市場。”

為了最大限度地提高此次產品的成本競爭力，SK海力士將其容量相比現有產品翻倍，達到了2Tb。一般來説，NAND閃存容量越大，單元中儲存的信息越多，並且存儲器管理越複雜，導致數據處理速度就越慢。為此SK海力士通過將NAND閃存內部可獨立運行的平面（Plane）架構從四平面擴展為六平面，從而提升了並行處理能力，緩解了因大容量導致的性能下降問題。

SK海力士計劃首先用在PC SSD上，然後逐步擴展到面向數據中心的eSSD和麪向智能手機的UFS產品。此外，SK海力士也將基於堆疊32個NAND芯片的獨有封裝技術，實現比現有高出一倍的集成度，正式進入面向AI服務器的超高容量eSSD市場。

早在去年11月，SK海力士就 量產 了當時全球最高的321層1Tb TLC NAND閃存，並於2025年上半年開始供應。到了今年5月，SK海力士又將其 應用 到UFS 4.1產品上，可選512GB和1TB兩種容量，計劃明年第一季度開始批量發貨。