SK海力士 宣佈 ，已開發完成並開始向客户供應業界首款採用“High-K EMC”材料的高效散熱移動DRAM產品。

隨着端側AI（On-Device AI）運行過程中高速數據處理所導致的發熱問題日益嚴重，已成為智能手機性能下降的主要原因。SK海力士稱，這次提供的新產品有效解決了高性能旗艦手機的發熱問題，獲得了全球客户的高度評價。

目前最新的旗艦手機多采用PoP（Package on Package）結構，即將DRAM垂直堆疊在移動處理器上面。這麼做雖然能夠高效利用有限空間並提升數據處理速度，但也導致移動處理器產生的熱量積聚在DRAM內部，從而影響整機性能。

為此SK海力士在傳統EMC中使用的二氧化硅（Silica）基礎上，混合了氧化鋁（Alumina），從而開發出名為“High-K EMC”的新材料。與傳統材料相比，新材料的熱導率是其3.5倍，而且將熱量垂直傳導路徑的熱阻降低了47%。散熱性能的提升有助於改善智能手機整機性能，同時通過降低功耗，可延長電池續航時間並提高產品壽命。

SK海力士相關負責人表示，未來將繼續以材料技術創新為基礎，牢固確立在新一代移動DRAM市場中的技術領導地位。