2023年末，ASML向英特爾交付了首台High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000，隨後台積電和三星都引入了相同型號的光刻系統。業界普遍認為，High-NA EUV光刻技術將在先進芯片開發和下一代處理器的生產中發揮關鍵作用。

SK海力士 宣佈 ，已將存儲器業界首款量產型High-NA EUV（高數值孔徑極紫外）光刻機引進韓國利川M16工廠，並舉行了設備入廠慶祝儀式。多位ASML和SK海力士出席了當日舉行的設備入廠儀式，慶祝引進下一代DRAM生產設備。

為了提升產品性能和生產效率，微細製程技術的優化顯得尤為重要。電路圖案製作越精密，每塊晶圓上可生產的芯片數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。2021年SK海力士在第四代10nm級（1a）DRAM中首次引入EUV光刻技術，將EUV應用擴展至先進DRAM製造領域。為了滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求，SK海力士決定引進超越現有EUV的下一代技術設備。

這次的High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5200B，屬於首款量產型High-NA EUV設備。與現有的EUV設備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠製作出精密度高達1.7倍的電路圖案，並將集成度提升2.9倍。

通過引進High-NA EUV設備，SK海力士將簡化現有的EUV工藝，並加快下一代半導體存儲器的研發進程，從而確保在產品性能和成本方面的競爭力。此舉有望鞏固自身在高附加值存儲器市場中的地位，並進一步夯實技術領導力。