三星在今年的SAFE 2025活動上展示了第三代2nm工藝，稱為“SF2P+”，打算兩年內推出。三星預計業界對2nm製程節點的需求會延續很長時間，為此不惜將1.4nm工藝的量產時間延後至2029年，通過優化2nm工藝的性能和能耗表現，提高良品率，使其更適合業界使用。

據Wccftech 報道 ，Exynos 2600將是三星首款採用了SF2（2nm）工藝的SoC，三星希望可以儘可能減少虧損，提高良品率，以便在今年晚些時候開始大規模生產，向業界證明自己的實力。更了更好地實現目標，三星希望引入更多High-NA EUV光刻機，以便日後添加到生產中。雖然這些生產設備並不便宜，但是會帶給三星一些必要的優勢。

三星於今年3月在其華城園區 引入 了首台ASML製造的High-NA EUV光刻機，型號為“TWINSCAN EXE:5000”，主要用於技術研發。三星也成為了英特爾（2023年末）和台積電（2024年第三季度）之後，第三家安裝High-NA EUV光刻機的半導體製造商。

High-NA EUV光刻機是具有高數值孔徑和每小時生產超過200片晶圓的極紫外光大批量生產系統，用於製造3nm以下的芯片。其提供了0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高分辨率的圖案化，以實現更小的晶體管特徵。

三星原計劃是在1.4nm工藝引入High-NA EUV光刻技術，如果提前至2nm工藝中加入，或許能幫助三星實現更高的良品率，併為未來的1.4nm工藝提前做好準備。不過目前ASML每年只能生產五到六台High-NA EUV光刻機，三星也不能隨心所欲地訂購。