芝奇Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL34 64GB×2內存評測:大容量也帶勁

從2023年底開始,微星、華擎、技嘉、華碩等廠商陸續為旗下主流型號主板更新支持單槽最高64GB內存,再次刷新消費級主板的內存容量上限,這對於生產力用户來説無疑是重大利好。然而,從官方當時給出的測試數據來看,儘管在四內存插槽主板上實現了高達256GB的總容量,但內存速率並不高,普遍為4000~4400 MT/s,要想做到生產力與遊戲性能兼得,確實是比較困難。

隨着多方面技術的不斷進步,前段時間,知名內存廠商芝奇(G.Skill)就為發燒級用户帶來了Trident Z5 Neo RGB系列的全新力作——Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 64GB×2套條,時序低至CL32,另外還有CL34/36共三個時序版本可選。相比起目前市面上只能做到DDR5-5600 CL40或者DDR5-6000 CL40的競品,芝奇這款新品實在是令人眼前一亮。那麼,它的實際表現是否能做到與宣傳的那樣強勁?超頻的上限能夠去到哪裏?擁有如此神秘力量的內存顆粒又來自於哪家?我們立馬來上手一看!

型號時序工作電壓支持超頻方案
F5-6000J3244G64GX2-TZ5NRC32-44-44-961.40VAMD EXPO
F5-6000J3444G64GX2-TZ5NRC34-44-44-961.35VIntel XMP/AMD EXPO
F5-6000J3644G64GX2-TZ5NRC36-44-44-961.25VIntel XMP/AMD EXPO

我們這次拿到的是CL34的時序版本,同時支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO,而CL32時序版本僅支持AMD EXPO。芝奇也在包裝上較為顯眼的位置貼上了兩家的支持標籤。此外,靠右上的地方還印有三家國外知名評測機構的讀者推薦獎牌,向用户展示自身產品具備國際級的認可度。包裝背面註明了內存燈光兼容華碩、華擎、技嘉、微星主板的燈效控制。

對於Trident Z5 RGB系列如此經典的外觀設計,相信不少玩家已經爛熟於心了。其整體採用了沉穩內斂的黯夜黑配色,以鋁合金散熱片與剛毅的曲線相結合,利用精密的切割技術,加上芝奇標誌性的流線造型以及帶有紅色高亮“Z”的Trident Z5 Neo RGB字樣,將性能與芝奇的硬件美學完美呈現。

頂部的導光條呈細長的“S”形走向,點亮後充分展示出其炫彩靈動的視覺效果。

Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 64GB×2內存的DRAM芯片為雙面佈局,採用了三星的K4RBH086VM-BCWM,目前官網上暫未有其相關信息,只找到與它有一字之差且顯示仍處於樣品階段的K4RBH046VM-BCWM( 相關鏈接>>> ),容量(單顆32Gb,也就是4GB)、帶寬(5600Mbps)、工作電壓(1.1V)這三個參數都是一致的,猜測兩者之間區別應該是,K4RBH046VM-BCWM為x4架構,K4RBH086VM-BCWM為x8架構。

位於內存中間位置的是DDR5的供電模塊,可以看到PMIC及其供電電路,對應位置貼有導熱墊。相比過往的DDR4,它的存在能夠提供更加精細的電源管理,能夠提供更高的兼容性和信號完整性,抗干擾能力也會更強。而另一面我們可以看到一顆來自ene迅傑科技的6K5850芯片,用於控制PCB正反兩面共10顆RGB燈珠。

通過CPU-Z我們可以看到,Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 64GB×2內存符合JEDEC DDR5規範裏的基本標準,SPD擴展包括了AMD EXPO和Intel XMP 3.0技術,默認是直接來到了DDR5-5600,時序為CL46-45-45-90,對應電壓是1.1V,而啓用超頻方案後是DDR5-6000,時序為CL34-44-44-96,電壓是1.35V。兩條內存的生產日期都是一致的,為2025年第29周。

儘管Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 64GB×2內存同時支持AMD EXPO和Intel XMP 3.0技術,但給我的第一感覺是芝奇的優化更偏向於AMD平台這邊,畢竟剛好落在了“甜點頻率”,不過大容量內存也確實比較難上高頻,為此我們還是分別找來了Intel和AMD兩套平台來進行測試,具體配置如上表所示。由於測試時手上沒有B860/Z890的ITX主板,故改用較為高端的微星 MEG Z890 ACE 戰神。兩塊主板的BIOS均更新至當前最新版本。測試使用AIDA64裏的緩存&內存Benchmark。內存全程用風扇直吹降温,避免出現過熱情況。

首先我們來看Intel平台上的表現。在默認DDR5-5600下,內存讀寫速度在79000~86000MB/s之間,內存延遲103.6ns;開啓XMP至DDR5-6000後,此時內存性能提升7%左右,內存延遲來到95.1ns。進一步開啓主板BIOS內置的高帶寬模式,內存的表現變得更加可觀。經過一段時間的嘗試,這套內存可以在Ultra 9 285K+微星 MEG Z890 ACE 戰神主板的組合上穩定衝擊到的DDR5-7200 CL38-52-52-115,延遲為77.6ns,雖然相比單面顆粒的16GB×2或24GB×2的超高頻內存仍有一定的差距,但對於擁有128GB容量的它來説已經很不錯了。

AMD平台相對來説對內存高頻的依賴程度要低不少,即便只是開啓EXPO再疊加BIOS的優化選項也能獲得非常不錯的表現,讀寫速度及延遲都有顯著的改善,具體操作為:開啓了延遲殺手、高帶寬模式的平衡(真香)擋位,並且FLCK頻率拉高至2200MHz。

手動超頻部分我先嚐試了DDR5-6200 CL32和DDR5-6400 CL34兩種方案(保持UCLK DIV Mode為1:1狀態,也就是不分頻),除了頻率和BIOS優化選項上的設置,內存電壓也提升至1.45V,以確保穩定運行。無可置疑,DDR5-6400 CL34綜合表現是要更勝一籌的,但如果想要更穩妥一些,DDR5-6200 CL32也不賴。

抱着好奇的心態,我還是決定看看分頻後內存的表現可以衝到什麼程度。不過結果是比較令人遺憾的,和Intel平台一樣止步DDR5-7200,甚至性能還不如優化後的EXPO DDR5-6000,看來這套內存的頻率上限就基本是這樣了。值得肯定的一點是,它和AMD平台確實是最佳拍檔。

比起經典的外觀設計,出色的性能表現才是芝奇Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL34 64GB×2內存的重中之重。在三星新款DRAM的加持下,可以説它是直接滿足了既要大容量又要高性能的高端用户的嚴苛需求;同時支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO,也讓不同平台的用户都能夠享受到一鍵穩定超頻的便捷體驗。儘管它的高頻表現相比主流級高端型號還是稍顯遜色,但已經足以將AMD AM5平台的性能充分發揮。要是將其與鋭龍9 9950X3D、RTX 5090系列顯卡搭配在一起,絕對稱得上是當前版本的畢業組合,實現遊戲與生產力的高度雙兼顧。

目前,市場上仍未有像芝奇Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL34 64GB×2這樣具備大容量、低時序特性的競品出現,相信在接下來的很長一段時間裏它都是相關需求人羣的不二之選。更何況,一眾DDR5-6000 CL40 64GB×2的產品都已經賣到3000元了,定價相對高一些、來到3888元的它反倒是被襯托得有些物有所值。