此前有 報道 稱，三星在1cnm DRAM生產測試中實現了50%至70%的良品率，相比於去年末不到30%的水平有了大幅的提升。 傳聞 1cnm DRAM生產已經在三星內部獲得批量生產許可，這標誌着新一代DRAM技術已開發完成，遵循了以往兩年迭代的DRAM技術升級的節奏。由於三星打算將1cnm DRAM用於HBM4，所以兩者的進度緊密相連。

據TrendForce 報道 ，三星為了搶佔HBM4的先機，正在加緊提升1cnm DRAM的生產能力。有業內人士透露，三星計劃在明年上半年之前在平澤P4完成1cnm DRAM生產設備的投資建設。

作為三星最先進的晶圓廠之一，P4分為四個階段：ph1屬於NAND-DRAM混合生產線，設備投資已經完成；ph3屬於DRAM專用生產線，同樣也完成了設備投資；ph2也將被指定為DRAM生產線，但最終用途尚未確定，正在進行潔淨室的建設，預計今年末至明年初開始設備安裝；ph4也與DRAM有關，項目正在推進當中，預計專注於1cnm DRAM的生產。

除了對P4的投資外，三星還準備在華城17號線對1cnm DRAM進行轉換投資。考慮到三星大規模對生產線大規模的擴展，預計今年1cnm DRAM產能可達到每月6萬片晶圓。相比於1cnm DRAM和HBM4的大規模量產，由於NAND閃存和代工業務的擴張需求存在不確定性，三星已經推遲了相關領域的投資計劃。