據DigiTimes 報道 ，在強勁的人工智能（AI）需求的推動下，DRAM和NAND閃存的合約價格將在2025年第四季度大幅上漲，預計漲幅達到了15%至20%，打破了過去年末價格下跌的格局。供應緊張導致雲端服務供應商更加積極地採購，層數高的3D NAND閃存產品幾乎售罄，原因是更高的讀取速度及更大的容量需求。

近日有 消息 稱，第9代V-NAND QLC閃存存在設計缺陷，導致出現性能問題，三星不得不將大規模生產的時間延後，推遲到2026年上半年。即便如此，憑藉更高的密度和成本優勢，傳聞明年的產能都基本被訂購一空，客户提前鎖定了訂單。

企業級市場的巨大需求很容易對消費端產品的價格產生連鎖反應，NAND閃存製造商為了滿足企業訂單，將佔用更多的產能，而DRAM製造商也同樣如此，必然會優先考慮製造HBM芯片。有分析指出，隨着存儲器製造商重新分配產能，傳統DRAM面臨的壓力最大，如果雲端服務供應商的訂單繼續增加，那麼普通消費者在今年冬天想購買NVMe SSD可能就很難遇到大的折扣。

多個數據點表明，人工智能正在改寫雲端存儲的層次結構，由於傳統的機械硬盤供應有限，NAND閃存製造商在今年第四季度擁有比以往更大的定價權。最近閃迪就 表示 ，NAND閃存供應短缺將貫穿2026年全年，同時價格還有很大的上漲空間。