目前SK海力士是英偉達主要的HBM供應商，已經提供了8層和12層堆疊的HBM3E，而且準備供應HBM4，用於英偉達下一代基於Rubin架構GPU構建的AI加速器。相比之下，與SK海力士差不多同一時期提供HBM3E樣品的三星落後很多，一直無法通過英偉達的驗證，直接影響了整個存儲器業務的營收。今年初三星更新了HBM3E設計，以便儘快完成英偉達的認證工作。

據TrendForce 報道 ，經過了一年半的努力，三星去年2月開發的12層堆疊HBM3E終於通過了英偉達的質量測試，縮小了與SK海力士之間的差距。有業內人士稱，這一成就反映了三星對現有HBM3E產品的性能提升，以及英偉達推動供應商多元化的努力。

不過也有消息稱，三星只是完成了第二輪內部晶圓驗收測試（WAT），整個工作還沒有完成，尚未獲得英偉達的正式批准。三星今年主要解決了HBM3E的發熱問題，主要得益於去年5月開始的更新設計工作，基於1αnm（第四代10nm級別）工藝打造的DRAM芯片。

本月早些時候，SK海力士 宣佈 已率先完成HBM4的開發工作，並在全球首次構建了量產體系。三星則是在今年第二季度生產出HBM4樣品，通過了英偉達初步的質量測試，還要等待最後的驗證步驟。

近期 傳出 英偉達要求供應商儘快將HBM4的速度從8Gb/s提高到10Gb/s，以便更好地應對AMD明年的Instinct MI450計算卡及“Helios”AI機架系統帶來的威脅。得益於4nm工藝製造基礎裸片，加上以1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM芯片，優於SK海力士的1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝，三星的HBM4可以更好地滿足英偉達的要求。