為應對用於人工智能（AI）的半導體需求的大幅度增長，去年4月SK海力士宣佈擴充人工智能基礎設施的核心產品，即HBM等新一代DRAM的生產能力，將位於韓國忠清北道清州市的M15X定為新的DRAM生產基地，並建設新工廠，計劃2025年11月竣工。

據TrendForce 報道 ，近日SK海力士在M15X工廠啓動了一條試驗生產線，以1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝生產DRAM芯片，以滿足市場不斷增長的HBM需求。SK海力士打算11月之前搬入設備，並在今年第四季度舉行設施落成儀式，初始產能目標是每月10,000片晶圓。

雖然競爭對手三星打算採用1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM芯片，用於下一代HBM4，但是SK海力士和美光都堅持使用1β (b) nm工藝。不過作為目前最大的HBM供應商，SK海力士首先要解決的是產能問題，以應對手上海量的訂單。

前一段時間，SK海力士 宣佈 已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，並在全球首次構建了量產體系。英偉達下一代Vera Rubin產品線將採用HBM4，隨着M15X工廠投產，SK海力士擁有更大的產能來應對下一輪增長。

另一方面，三大原廠之一的美光似乎遇到了一些麻煩，不僅要努力滿足英偉達對HBM4 提出 的更高速度規格要求，而且在SOCAMM上也達不到要求，預計從英偉達處只能獲得最少的訂單分配。