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俄國公佈 EUV 光刻發展路線圖 明年開展 40nm 目標 2037 年達成 10nm
HKEPC
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Sept. 29, 2025, 12:39 a.m.
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【突破國際圍堵 ... 😱】外媒報導,俄羅斯國家科學院微結構物理研究所公佈了國產極紫外(EUV)光刻設備的發展長期路線圖。根據計劃,新專案將於 2026 年開展,初步目標是實現 40nm 製程,並在 2032 年達成 28nm 製程,最終在 2037 年實現 10nm 製程。
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