鎧俠（Kioxia）和閃迪（Sandisk） 宣佈 ，位於日本巖手縣北上市的新建半導體生產設施Fab 2（K2）已開始運營。隨着時間的推移，新工廠的產能將根據市場趨勢分階段提升，預計2026年上半年開始達到真正意義上的量產水平。

官方稱，這座新建NAND閃存工廠有能力生產基於第八代BiCS FLASH 3D閃存技術構建的218層NAND閃存，採用了雙方合作開發的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，以及未來先進的3D NAND閃存節點，以滿足人工智能（AI）驅動下日益增長的存儲需求。

Fab 2採用了抗震建築結構，對內部進行了優化，節省出更多的空間，以擴大潔淨室中製造設備的可用空間。裏面安裝了最先進的節能製造設備，並通過人工智能驅動來提高生產效率。根據2024年2月批准的計劃，這次Fab 2的部分投資得到了日本政府的補貼。

公告稱，鎧俠和閃迪已經成功地建立了20多年的合資夥伴關係，未來將繼續共同開發3D NAND閃存，並根據市場趨勢進行資本投資，最大限度地提高協同效應和市場競爭力。此外，還將致力於抓住閃存市場機遇，讓合作的客户能夠充分利用人工智能帶來的增長機會。