上個月有 報道 稱，經過了一年半的努力，三星去年2月開發的12層堆疊HBM3E終於通過了英偉達的質量測試。三星主要解決了HBM3E的發熱問題，主要得益於去年5月開始的更新設計工作，基於1αnm（第四代10nm級別）工藝打造的DRAM芯片。

據Wccftech 報道 ，英偉達已經訂購了三星的12層堆疊HBM3E，將用於搭載Blackwell Ultra GB300的機架級解決方案。對於三星來説，進入英偉達的HBM3E合作伙伴名單至關重要，必須通過打入主流HBM領域才能重新獲得在DRAM市場的主導地位。傳聞三星還計劃購入5萬顆英偉達的AI芯片，但是具體交易細節尚未披露。

雖然三星暫時可以鬆一口氣，但是還沒有到完全扭轉局勢的地步，畢竟下一代HBM4即將到來，而主要競爭對手SK海力士已經佔據了先發優勢，預計供應初始階段仍然能保持其最大供應商的位置。

三星也有自己的優勢，早在2024年就決定將基礎裸片的製造工藝升級到4nm，預計最高速度可達到10Gb/s，高於競爭對手SK海力士和美光提供的JEDEC標準產品。另外三星擁有自己的邏輯芯片生產線，並不需要像SK海力士和美光那樣選擇台積電代工，定價方面會更具競爭力。