三星於今年3月在其華城園區引入了首台ASML製造的High-NA EUV光刻機，型號為“TWINSCAN EXE:5000”，主要用於技術研發。三星也成為了英特爾（2023年末）和台積電（2024年第三季度）之後，第三家安裝High-NA EUV光刻機的半導體製造商。

據TrendForce 報道 ，三星將於今年晚些時候接收首台型號為“TWINSCAN EXE:5200B”的High-NA EUV光刻機，明年上半年還會接收第二台同型號機器。TWINSCAN EXE:5200B屬於首個High-NA EUV量產型號，標誌着三星已經在為新一代光刻技術應用於大規模生產做準備。

三星並非首個安裝TWINSCAN EXE:5200B的半導體製造商，上個月SK海力士就已 官宣 引入同型號設備，安裝在韓國利川M16工廠，用於下一代DRAM的生產。有消息人士透露，三星計劃將High-NA EUV光刻機用於2nm工藝的生產線，製造Exynos 2600和特斯拉下一代AI芯片，另外還支持未來採用垂直通道晶體管（VCT）的DRAM。

傳聞三星購買這兩台High-NA EUV光刻機大概花費了7.73億美元（約合人民幣55.09億元）