聯華電子（UMC） 宣佈 ，推出55nm雙極性CMOS-DMOS（BCD）平台，將下一代移動設備、消費電子、汽車和工業應用的性能和能效提升至新的水平。新平台旨在解決電子設備中電源管理日益複雜的問題，提供更小的芯片面積、更低的功耗和卓越的降噪效果，從而提高電源電路設計的靈活性和可靠性。

55nm BCD平台提供全面的解決方案，服務於多樣化的電源IC應用：

• 非外延（Non-EPI）工藝 - 具有獨特設備架構的經濟高效的解決方案，為移動和消費類設備提供能效和模擬性能。

• 外延（EPI）工藝 - 55nm EPI解決方案符合最嚴格的AEC-Q100 Grade 0汽車標準，支持高達150V的工作電壓，即使在極端環境下也能提高汽車電子可靠性。

• 絕緣體上硅（SOI）工藝 - 該解決方案符合AEC-Q100 1級汽車標準，是高級汽車和工業用途的理想選擇，具有卓越的降噪、高速和低泄漏。

• 集成了超厚金屬（UTM）、嵌入式閃存和電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術，以增強性能和功能。

BCD技術將模擬、數字和電源功能結合在單個芯片上，廣泛應用於電源管理和混合信號IC。聯華電子現在提供業界最全面、最成熟的BCD產品組合之一，涵蓋從0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.11μm到55nm的工藝節點。