AI刺激存儲需求增長,三星第8代V-NAND閃存產線利用率攀升至80%

隨着數據中心擴張的加速,雲端服務供應商將重點從人工智能(AI)應用從訓練轉向推理,對大容量存儲產品的需求激增,推動了全球NAND閃存市場的快速復甦,也導致了NAND閃存供應開始收緊。

據TrendForce 報道 ,有消息人士透露,三星已經擴大了其位於平澤的主要NAND閃存工廠的生產,2025年第三季度第8代V-NAND閃存產線利用率比上一季度提高了超過10%,由過去的60%至70%之間攀升至80%左右,預計第四季度也會持續提升。事實上,自今年年中以來,三星用於NAND閃存生產的材料和組件訂單也在不斷增加。

三星是在2022年11月,開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品,層數達到了236層,相比第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。其基於最新NAND閃存標準的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率達到了2.4 Gbps,比上一代產品提高了1.2倍。這使得新款閃存芯片能夠滿足PCIe 4.0/5.0產品的性能要求,成為了存儲配置的基石,不但擴展了企業存儲容量,同時還拓展至可靠性要求較高的汽車市場。

第8代V-NAND閃存間接受益於AI驅動的存儲需求反彈,由於QLC eSSD供應有限,TLC eSSD也成為了爭搶的目標。第8代V-NAND閃存採用了TLC設計,至今沒有QLC版本,平時主要用於消費類產品,現在供應已經逐步轉向eSSD,消費端SSD庫存正在迅速下降。