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美光推遲紐約克萊新建晶圓廠項目:投產時間從2028年中推遲到2030年末

最近美光(Micron)已確認,2026年的HBM產能已經售罄,不過與大肆擴張生產線的三星和SK海力士不同,美光似乎對產能擴張採取了謹慎的態度。按照美國今年早些時候 公佈 的計劃,在美國的投資規模達到約2000億美元,用於尖端DRAM製造(1500億美元)和研發(500億美元)。去年美光還與美國商務部達成的協議,後者將根據《芯片法案》為其商業半導體制造項目提供61.65億美元的直接撥款,目標是未來十年內在美國製造旗下40%的DRAM產品。

據TrendForce 報道 ,美光已經決定將紐約克萊附近新建晶圓廠的投產時間推遲,首座晶圓廠從最初的2028年中旬延後至2030年末,另外第二座晶圓廠的完工時間也將從2030年末重新安排到2033年末。

美光是在2022年首次公佈紐約克萊新建晶圓廠項目,雖然還沒有開工,但是已經出現連續延期。按照新的計劃,首座晶圓廠將於2026年第二季度破土動工,第二座晶圓廠大概在2030年第四季度開工建設。整個項目會建造四座晶圓廠,最後一座晶圓廠要等到2041年才完工。

除了工期不斷延誤外,建設週期也變得更長,比如首座晶圓廠用時將從三年增至四年,而且美光沒有説明計劃變更的原因。美光在愛達荷州博伊西也有新建晶圓廠項目,優先級看起來高於紐約克萊。