三星在2020年的時候，宣佈攻克了3nm工藝節點的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預計會在2022年正式推出新工藝，並在今年3月份的IEEE國際集成電路會議上，介紹了該工藝的相關細節。

據三星介紹，該工藝節點稱為3GAE，其晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。相比7LPP工藝，3GAE可以在同樣功耗下讓性能提高30%，或同樣頻率下能讓功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。此前三星表示，採用3GAE工藝技術已正式流片。

不過據SemiAnalysis 報道 ，採用了新技術的3GAE工藝節點似乎沒那麼順利，批量生產推遲到了2024年。如果情況屬實，這意味着三星在製造工藝上會繼續落後於台積電（TSMC）。得益於新材料和新技術的運用，按照台積電的規劃，2024年會將2nm工藝投入生產。

目前英特爾在10nm以下工藝的研發工作進展緩慢，早已落後於台積電和三星，短時間內也難以趕上。三星被視為最有機會趕上台積電的半導體製造廠商，特別是在3nm工藝節點上，比台積電更早引入GAAFET全環繞柵極晶體管工藝（台積電要到2nm工藝才會應用），被認為是趕超的關鍵。