明年業界將迎來HBM4，其中AMD和英偉達都將在明年的下一代AI加速器將首次採用定製HBM，均為基於HBM4的設計，加入特定的功能，而其他加速器要等到2027年，包括博通和聯發科等廠商，可能選擇圍繞HBM4E的解決方案。

據TrendForce 報道 ，從HBM4時代開始，基礎裸片（Base Die）的生產將逐步轉移到台積電（TSMC）這樣的代工廠，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。到了HBM4E時代，定製解決方案將會變得更加豐富且深入。最近台積電就公佈自己的定製HBM4E設計，名為“C-HBM4E”，其中還直接集成了內存控制器。

相比於HBM4採用N5和N12FFC+工藝製造的基礎裸片，分別面向高性能及主流市場，相比於HBM3E的基礎裸片，工作電壓從1.1V降至0.8V，預計能效是原來的1.5倍。C-HBM4E的基礎裸片採用了更為先進的N3P工藝，工作電壓進一步降低，從HBM4基礎裸片的0.8V降至0.75V，不僅有助於減少整體系統功耗，也為未來更大規模的AI集羣部署提供了更優的熱管理條件。相比於HBM3E，預計C-HBM4E基礎裸片的能效是其2倍。

目前HBM市場的領導者SK海力士很早就宣佈與台積電合作，雙方共同開發HBM4產品，主要供應英偉達和谷歌。到了HBM4E，美光也將轉向台積電代工，在2027年的HBM4E同時提供行業標準型和客户定製型兩種解決方案。