上個月的ISSCC 2020是半導體業界集中展示新技術的一次峯會，除了上週我們報道過了的AMD，還有很多芯片界巨頭也在ISSCC 2020上面發表了一些尖端技術，比如鎧俠和西部數據就聯合發佈了一種新的存儲級內存（ S torage C lass M emory）——XL-FLASH。

圖片來自於 PC Watch ，下同

存儲級內存（SCM）是業界對介於閃存與內存之間的新存儲介質的統一命名，我們熟悉的傲騰3D-XPoint就屬於SCM。由於很多SCM兼有內存低延遲高讀寫速率和非易失的特性，已經成為了業界新的關注點，幾大主要的閃存製造商都在開發自己的SCM技術，比如Intel和美光聯合開發的3D-XPoint，三星自己在開發的Z-NAND都算在這個範疇內，雖然我們知道後者其實只能算是目前NAND的改良版本。

而鎧俠和西部數據當然不會坐着看戲，他們也有自己的SCM計劃，就是本次公佈的XL-FLASH。

XL-FLASH實際上與三星的Z-NAND有點相似，實質也是在目前的3D NAND上面進行改進得到的產物，從對比規格來看，它的整體表現將會比Z-NAND好上那麼一些，比起自家的TLC是高一個次元了。

左：96層，512Gb的3D TLC；右：128Gb的XL-FLASH

XL-FLASH在結構上與普通的BiCS閃存存在較大的區別，普通的512Gb閃存只是簡單地被分成兩個平面，而XL-FLASH則是將陣列細分化，128Gb顆粒中的存儲單元陣列被劃分為16個小單元，每個單元都有配套的4KB S/A。另外在劃分為小陣列之後，其字線和位線都變短了，訪問單元的延遲比字線和位線長的多的普通NAND是要低非常多的，其中字線的延遲時間可能會減少到只有1/20的地步。

另外在主控層面和電路上面也會對XL-FLASH進行針對性的優化，以實現更低的寫入延遲。

鎧俠和西部數據用自己的方法構建出了SCM級別的新顆粒，而且 在去年已經有廠家展示了使用XL-FLASH的產品 。由於它的內部結構並不像3D-XPoint那樣是完全新的，其製造成本是相對要低一些的，但效果還是相當明顯的。我們未來能夠看到Z-NAND，3D-XPoint和XL-FLASH的同台競爭。